塑焊机厂家
免费服务热线

Free service

hotline

010-00000000
塑焊机厂家
热门搜索:
技术资讯
当前位置:首页 > 技术资讯

【新闻】英特尔09年推出三闸晶体管拟降低功率耗损姜堰

发布时间:2020-10-18 15:42:41 阅读: 来源:塑焊机厂家

<P><FONT size=2>&nbsp;&nbsp;&nbsp; 据海外媒体报道,英特尔将于2009年采用32纳米技术节点推出三闸晶体管(trigate transistors)。采用这种新型的3D晶体管结构,英特尔希望实现显著的功率节省及性能改进目标。   据英特尔组件研究总监Mike Mayber指出,该公司在新晶体管内成功整合了高K介电质、金属闸电极和应变硅。 </FONT></P>

<P><FONT size=2></FONT></FONT></P>

<P><FONT size=2>  该晶体管消耗的功率明显低于目前的平面型晶体管。据Mayberry表示,三闸晶体管实现更好的切断电流(off-current),因此IC将耗费更少的泄漏功率。高K值金属闸也减少功率耗损,同时实现更快速度。</FONT></P>

<P><FONT size=2>&nbsp;</FONT></FONT></P>

<P><FONT size=2>  Mayberry指出,与最新的65纳米晶体管相较,新型晶体管速度将提升45%,切断电流减少50%。采用新电晶体的处理器以常速消耗35%的总体功率。</FONT> </P>

<P></FONT></P>

<P>  英特尔计划采用这种晶体管结构作为45纳米节点以上未来微处理器的基本建构模块,这意味着即将到来的65纳米和45纳米节点将以常规方式实现。英特尔预计2009年量产32纳米组件,2011年生产22纳米组件。 </FONT></P>

膨胀型防火涂料

陶瓷透水砖价格

地坪漆厂家

封闭巡逻车