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罗姆推出业内顶级34的低导通电阻

发布时间:2020-07-21 17:59:14 阅读: 来源:塑焊机厂家

日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部:日本京都市)面向太阳能发电的功率调节器市场,开发出实现了业内顶级低导通电阻的高耐压功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。 本产品采用散热性卓越的TO247PLUS封装,于9月中旬开始提供样品(样品价格:1000日元/个),并计划于2011年12月份开始投入量产。

本文引用地址: 随着节能趋势渐行渐强,作为可再生能源的代表,太阳能发电市场规模不断扩大。其功率调节器领域,正在努力通过电源转换效率的改善实现节电,因此对实现更低损耗的功率MOSFET的需求不断高涨。罗姆此前也一直利用多层外延生长方式,为客户提供多层纵向pn结的超结结构的功率MOSFET,持续为高效化作出了貢献。但是,由于这种方式的制造工序复杂,因此具有难于微细化和提高生产性能的课题。

此次,罗姆采用纵向p层一次成型的Si深蚀刻技术,通过微细化及杂质浓度的优化,与传统产品相比,将导通电阻成功降低了约47%。此产品不仅非常适合低导通电阻容易体现出来的转换器部分,而且与罗姆制造的快速恢复二极管或SiC肖特基势垒二极管等相组合,还可应用于逆变器。由于可以大幅降低电源转换时的损耗,因此将会大大有助于提高太阳能发电的效率。另外,为了适用于更多种类的电路方式,罗姆在采用本技术进一步完善高耐压产品线的同时,还将不断扩充“PrestoMOS”系列。

罗姆今后也会继续利用独创的先进工艺加工技术,不断推进满足顾客需求的前瞻性晶体管产品的开发。另外,本产品预计在10月4日~8日在千叶幕张会展中心举办的“CEATEC JAPAN2011”的罗姆展台亮相。届时欢迎大家光临罗姆展台。

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